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ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET

ROHM Semiconductor RQ3xFRATCB功率MOSFET是AEC-Q101合规汽车级MOSFET。这些MOSFET具有-40V至100V漏源电压范围、8个端子、高达69W功耗以及 ±12A 至 ±27A的连续漏极电流。RQ3xFRATCB功率MOSFET有N沟道和P沟道供选择。这些功率MOSFET采用小型3.3mmx3.3mm HSMT8AG封装。RQ3xFRATCB功率MOSFET非常适用于高级辅助驾驶系统（ADAS）、信息娱乐、照明和车身。

特性

  • 符合 AEC-Q101
  • 小型、大功率封装
  • 通过原始端子和电镀处理实现高安装可靠性
  • 提供N沟道和P沟道
  • 尺寸：3.3mmx3.3mm（t=0.8）
  • HSMT8AG 封装

应用

  • 高级驾驶辅助系统（ADAS）
  • 信息娱乐
  • 照明
  • 车身
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物料编号 数据表 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Qg-栅极电荷 Vgs th-栅源极阈值电压 Pd-功率耗散 下降时间 正向跨导 - 最小值 上升时间 典型关闭延迟时间 典型接通延迟时间
RQ3G270BJFRATCB RQ3G270BJFRATCB 数据表 P-Channel 1 Channel 40 V 27 A 22 mOhms 32 nC 2.5 V 69 W 37 ns 11 S 15 ns 126 ns 10 ns
RQ3G120BJFRATCB RQ3G120BJFRATCB 数据表 P-Channel 1 Channel 40 V 12 A 48 mOhms 15.5 nC 2.5 V 40 W 9.8 ns 6.5 S 4.7 ns 36 ns 6.7 ns
RQ3L120BJFRATCB RQ3L120BJFRATCB 数据表 P-Channel 1 Channel 60 V 12 A 106 mOhms 15.7 nC 2.5 V 40 W 18 ns 7.8 S 13 ns 52 ns 8.7 ns
发布日期: 2024-05-22 | 更新日期: 2024-06-11