ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET

ROHM Semiconductor RS1G201ATTB1功率MOSFET具有无铅电镀、低导通电阻，采用HSOP8小型表面贴装封装。该MOSFET的工作温度范围为-55°C 至150°C，漏源电压为-40V，脉冲漏极电流为±80A，栅极-源极电压为±20V。RS1G201ATTB1功率MOSFET非常适合用于负载开关。