ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET
ROHM Semiconductor RV7E035AT P沟道小信号MOSFET是一款紧凑型高性能器件，设计用于低压开关应用。RV7E035AT采用节省空间的TUMT3封装，具有出色的开关特性和低导通电阻，因此非常适合用于便携式和电池供电电子设备。该MOSFET具有-30V的漏源电压（VDS）、-3.5A的漏极连续电流（ID），以及VGS =-4.5V时仅47mΩ的低导通电阻[RDS(on)]，可确保高效的电源管理和极低的发热量。ROHM Semiconductor RV7E035AT针对高速开关进行了优化，非常适合用于紧凑型电子设备中的负载开关、DC-DC转换器和电源管理电路。稳健的设计和出色的热效率使其在严苛环境中也能可靠运行。
特性
- 采用SMD塑料封装（1.2mm×1.2mm×0.5mm），无引线超小型裸露漏极焊盘可实现出色的导热性
- 低导通电阻：78mΩ（最大值）
- 驱动：-4.5V
- 漏极-源极击穿电压：-30V（最大值）
- 击穿电压温度系数：-24.1mV/°C（典型值）
- 连续漏极电流：±3.5A（最大值）
- 脉冲漏极电流：±10A（最大值）
- 栅极-源极电压：±20V（最大值）
- 单脉冲雪崩电流：-3.5A（最大值）
- 单脉冲雪崩能量：0.46mJ（最大值）
- 功耗：1.1W（最大值）
- 零栅极电压漏极电流：-1µA（最大值）
- 栅极-源极漏电流：±100nA（最大值）
- 栅极阈值电压范围：-1.0V至-2.5V
- 栅极阈值电压温度系数：3.3mV/°C（典型值）
- 栅极电阻：13Ω（典型值）
- 正向传输导纳：2.5S（典型值）
- 典型电容
- 3.5 pF输入
- 55 pF输出
- 反向传输：43 pF
- 典型时间
- 导通延迟：8.0ns
- 上升：9.0 ns
- 关断延迟：28ns
- 下降：8.5 ns
- 典型栅极电荷
- 总栅极电荷：4.3nC
- 栅极-源极电荷：1.6nC
- 栅极-漏极电荷：1.5nC
- 体二极管
- 连续正向电流：-0.92A（最大值）
- 脉冲正向电流：-10A（最大值）
- 最大正向电压：-1.2 V
- 工作温度范围：-55 °C至+150 °C
- 无铅引脚电镀，符合RoHS标准
应用
- 开关电路
- 高侧负载开关
内部电路
发布日期: 2025-05-20
| 更新日期: 2025-06-04