ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET
ROHM Semiconductor RxP120BLFRA功率MOSFET是一款符合 AEC-Q101标准的车规级MOSFET。此系列器件具有100V的漏极-源极击穿电压、62mΩ 的静态漏极-源极导通电阻和 ±12A的连续漏极电流。ROHM RxP120BLFRA功率MOSFET非常适合用于汽车应用，包括 ADAS、信息娱乐、照明和车身。
特性
- 符合 AEC-Q101
- 低导通电阻
- 大功率，小型模压封装
- 无铅镀层
- 符合RoHS标准
- 不含卤素
- 可湿性侧翼
应用
- ADAS
- 信息娱乐
- 照明
- 车身
规范
- 漏极-源极击穿电压：100V
- 静态漏极-源极导通电阻：62mΩ
- 功耗：40W (RQ3P120BLFRA) 和23W (RF9P120BLFRA)
- 连续漏极电流：±12A
- 封装：DFN2020 (RF9P120BLFRA) 和HSMT8AG (RQ3P120BLFRA)
应用电路
发布日期: 2025-07-14
| 更新日期: 2025-07-22