ROHM Semiconductor RY7P250BM功率MOSFET
ROHM Semiconductor RY7P250BM功率MOSFET设计采用低导通电阻（最大1.86mΩ）和DFN8080大功率封装。这款功率MOSFET的漏源电压 (VDSS) 为100V，漏极电流 (ID) 为±300A，耗散功率 (PD) 为340W。RY7P250BM MOSFET具备宽安全工作区域 (SOA)，可在不受损的情况下承受更高的电压和电流，从而提升稳健性与可靠性。ROHM Semiconductor RY7P250BM功率MOSFET适用于热插拔控制器 (HSC) 应用。
特性
- 低导通电阻RDS(on)：1.43mΩ（典型值）
- 低导通电阻RDS(on)：1.86mΩ（最大值）
- 漏源电压 (VDSS)：100V
- 漏极电流 (ID)：±300A
- 耗散功率 (PD)：340W
- 宽安全工作区域 (SOA)
- DFN8080大功率封装
- 无铅镀层
- 符合RoHS指令
- 无卤素
- 100%经过Rg和UIS测试
应用
- 数据中心48V AI服务器系统和电源热插拔电路
- 48V工业设备电源系统（如叉车、电动工具、机器人和风扇电机）
- 电池供电工业设备，如自动导引车（AGV）
- UPS和应急电源系统（电池备用单元）
封装样式
视频
信息图
发布日期: 2025-06-12
| 更新日期: 2025-12-04