ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET
ROHM Semiconductor SCT2H12NWB 1700V N沟道SiC功率MOSFET是一款额定漏源电压 (VDSS) 为1700V、额定漏极连续电流 (ID) 为3.9A的设备。该设备的漏源导通电阻 [RDS(ON)] 为1.15mΩ（典型值，VGS = 18V、ID = 1.1A、Tvj = +25°C时），采用15.5mm x 10.2mm TO-263CA (TSMT3) 封装。该器件开关速度快、爬电距离大，且易于驱动。ROHM Semiconductor SCT2H12NWB MOSFET适用于辅助电源和开关电源应用。
特性
- 低导通电阻 [RDS(ON)]
- 开关速度快
- 爬电距离达6.1mm
- 易于驱动
- 无铅引线镀层，符合RoHS标准
应用
- 辅助电源
- 开关电源
规范
- 漏源导通电阻 [RDS(ON)]
- 1.15mΩ（典型值）/1.50mΩ（最大值）（VGS = 18V、ID = 1.1A、Tvj = +25°C时）
- 1.71mΩ（典型值）（VGS = 18V、ID = 1.1A、Tvj = +125°C时）
- 耗散功率 (PD)：39W
- 典型总栅极电荷 (Qg)：24nC（VDD = 800V、ID = 2A、VGS = 18V时）
- 结温 (Tvj)：+175°C
电路图
封装图
发布日期: 2025-07-25
| 更新日期: 2025-08-21