ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET

ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET,具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。 此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准,易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源(SMPS)。

特性

  • 低导通电阻
  • 1200VVDS
  • 快速开关速度
  • 最小爬电距离:4.7 mm
  • 快速恢复时间
  • 易于驱动
  • 易于并联
  • 引线无铅镀层
  • 符合RoHS标准

应用

  • 感应加热
  • DC-DC转换器
  • 太阳能逆变器
  • 开关模式电源(SMPS)

封装尺寸

机械图纸 - ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET

视频

发布日期: 2025-05-20 | 更新日期: 2025-07-14