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ROHM Semiconductor
SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET - ROHM
返回ROHM Semiconductor
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET
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ROHM Semiconductor详情
ROHM Semiconductor SCT40xKWA N沟道SiC功率MOSFET属于第四代MOSFET,具有低导通电阻和更强的短路耐受能力。 此系列MOSFET具备1200V VDS、快速开关速度、4.7mm的最小爬电距离以及快速恢复时间。SCT40xKWA MOSFET符合RoHS标准,易于驱动。典型应用包括感应加热、直流-直流转换器、太阳能逆变器和开关模式电源(SMPS)。
特性
低导通电阻
1200V
VDS
快速开关速度
最小爬电距离:4.7 mm
快速恢复时间
易于驱动
易于并联
引线无铅镀层
符合RoHS标准
应用
感应加热
DC-DC转换器
太阳能逆变器
开关模式电源(SMPS)
封装尺寸
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SCT4036KWATL
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ROHM Semiconductor
发布日期: 2025-05-20 | 更新日期: 2025-07-14