ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N沟道190 V 10 A功率MOSFET

ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N沟道190V 10A功率MOSFET具有低导通电阻和高开关速度。RD3S100AAFRA MOSFET可轻松设置为并联使用。ROHM RD3S100AAFRA功率MOSFET设计用于开关电源应用。

特性

  • 低导通电阻
  • 开关速度快
  • 并行使用简单
  • 符合RoHS指令
  • 符合AEC-Q101标准

规范

  • VDSS :190V
  • RDS(on) :182mΩ(最大值)
  • ID :±10A
  • PD :85W

典型应用

应用电路图 - ROHM Semiconductor RD3S100AAFRA N沟道190 V 10 A功率MOSFET
发布日期: 2020-09-15 | 更新日期: 2025-10-09