ROHM Semiconductor SP8M功率MOSFET

ROHM Semiconductor SP8M功率MOSFET是低导通电阻器件,采用小型表面贴装封装 (SOP8)。SP8M采用无铅电镀,符合RoHS指令。这些MOSFET也不含卤素,采用Sn100%电镀,符合AEC-Q101标准。

特性

  • 低导通电阻
  • 小型表面贴装封装 (SOP8)
  • 无铅电镀;符合RoHS指令
  • 无卤
  • Sn100%电镀
  • 符合AEC-Q101标准

应用

  • 开关
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物料编号 数据表 描述 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻
SP8M21HZGTB SP8M21HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 45 V 6 A, 4 A 25 mOhms, 46 mOhms
SP8M4HZGTB SP8M4HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 30 V 9 A, 7 A 18 mOhms, 28 mOhms
SP8M6HZGTB SP8M6HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 30 V 5 A, 3.5 A 51 mOhms, 90 mOhms
SP8M31HZGTB SP8M31HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 60 V 4.5 A 65 mOhms, 70 mOhms
SP8M41HZGTB SP8M41HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 80 V 3.4 A, 2.6 A 130 mOhms, 240 mOhms
SP8M51HZGTB SP8M51HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 100 V 3 A, 2.5 A 170 mOhms, 290 mOhms
SP8M3HZGTB SP8M3HZGTB 数据表 MOSFET AECQ 30 V 5 A, 4.5 A 51 mOhms, 56 mOhms
发布日期: 2022-02-08 | 更新日期: 2022-03-11