ROHM Semiconductor UT6J Pch功率MOSFET
ROHM Semiconductor UT6J P沟道功率MOSFET具有低导通电阻，采用 大功率小型模具封装。ROHM提供从小信号产品到800V高压产品的宽电压系列。它们可用于各种应用，如电源和电机驱动电路。
特性
- 低导通电阻
- 小型表面贴装封装
- 无铅电镀；符合RoHS指令
- 无卤素
应用
- 开关
系列
市场应用
改善了导通电阻
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| 物料编号 | 数据表 | 描述 | Vds-漏源极击穿电压 | Id-连续漏极电流 | Rds On-漏源导通电阻 |
|---|---|---|---|---|---|
| UT6K3TCR1 |  |
MOSFET DFN2020 2NCH 30V 5.5A | 30 V | 5.5 A | 42 mOhms |
| UT6J3TCR1 | |
MOSFET DFN2020 2PCH 20V 3A | 20 V | 2 A | 85 mOhms |
| UT6JB5TCR | |
MOSFET DFN2020 2PCH 40V 3.5A | 40 V | 3.5 A | 122 mOhms |
| UT6KE5TCR | |
MOSFET 100V 2.0A Dual Nch+Nch, DFN2020-8D, Power MOSFET | 100 V | 2 A | 207 mOhms |
| UT6JC5TCR | |
MOSFET -60V Dual Pch+Pch, DFN2020, Power MOSFET | 60 V | 2.5 A | 280 mOhms |
发布日期: 2021-01-26
| 更新日期: 2023-09-07