Vishay / Siliconix TrenchFET®第五代功率MOSFET，带VDS
Vishay/Siliconix TrenchFET® 第五代功率MOSFET具有非常低的RDS x Qg 品质因数（FOM），可提高功率转换效率。该第五代功率MOSFET具有80V、100V和150V漏源击穿电压选项。第五代功率MOSFET采用PowerPAK® 1212-8SH或PowerPAK SO-8单封装。
特性
- TrenchFET®第五代功率MOSFET
- 通过提高功率转换拓扑和开关电路的效率来节省能源
- 优化用于多种拓扑结构
- 超低RDS x Qg 品质因数（FOM）
- 100%通过Rg 和UIS测试
应用
- 同步整流
- 一次侧开关
- 直流/直流转换器
- OR-ing和热插拔开关
- 电源
- 电机驱动控制
- 电池管理
信息图
封装类型
其他资源
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发布日期: 2021-03-10
| 更新日期: 2025-05-09