STMicroelectronics GANSPIN611 GaN高功率密度半桥

STMicroelectronics GANSPIN611 GaN高功率密度半桥是一款先进的电源系统级封装,将两个增强模GaN晶体管集成在半桥配置中,由最先进的高压、高频栅极驱动器驱动。集成的功率GaN具有138mΩ的RDS(ON)和650V漏源击穿电压,而高压侧的嵌入式栅极驱动器可由集成式自举二极管轻松供电。

GANSPIN611设计用于运动控制,可优化输出dV/dt至 10V/ns(典型值),实现硬开/硬关。电机控制中需要此功能,以确保EMI、电机绕组和滚珠的可靠性。稳健性和可靠性也是GaNSPIN系列的显著特点。GaNSPIN系列设备集成了先进的保护功能,可确保理想的系统稳健性。由于其内置逻辑和专用高速比较器,SmartShutdown过电流保护功能可提供快速响应。

STMicroelectronics GANSPIN611采用紧凑型9mm x 9mm x 1mm QFN封装,工作温度范围为-40°C至+125°C。GaNSPIN611与GaNSPIN612(RDS(ON)为270mΩ)引脚对引脚兼容,可最大限度地实现平台方法的可扩展性。

特性

  • 集成了半桥配置高压氮化镓晶体管的电源系统级封装 系列,带有高压栅极驱动器
    • RDS(ON)=138mΩ
    • IDS(MAX)=10A
  • 反向导通能力和零反向恢复损耗
  • 硬开和硬关两种状态时,输出dV/dt为10V/ns(典型值),专为电机控制而设计
  • 线性稳压器用于调节高侧和低侧驱动器电源电压
  • 外部可调导通dV/dt
  • 内部自举二极管
  • 过流检测比较器,具有智能关断功能
  • VCC、VHS和VLS欠压锁定(UVLO)保护
  • 互锁功能、关断、待机和故障引脚
  • 55ns栅极驱动器,导致整体输出传播延迟为150ns(典型值)
  • 3.3 V至20 V兼容输入,具有迟滞和下拉功能

应用

  • 家用电器
  • 压缩机
  • 风扇
  • 个人护理电器
  • 工厂自动化
  • 伺服驱动器
  • 电动工具

方框图

框图 - STMicroelectronics GANSPIN611 GaN高功率密度半桥
发布日期: 2025-10-29 | 更新日期: 2026-01-08