STMicroelectronics STL120N10F8 100V N沟道STripFET MOSFET
STMicroelectronics STL120N10F8100V N沟道增强模式STripFET MOSFET采用ST的STripFET F8技术，具有增强型沟槽栅极结构。它确保极低的导通电阻，同时降低内部电容和栅极电荷，从而实现更快、更高效的开关。STMicroelectronics STL120N10F8是开关应用的理想选择。
特性
- MSL1级
- 工作温度：175°C
- 100%经雪崩测试
视频
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发布日期: 2023-05-04
| 更新日期: 2024-11-18