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STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET

STMicroelectronics的 STripFET F8 N沟道功率MOSFET符合AEC-Q101标准，并提供30V至150V的全面封装解决方案，以满足超高功率密度解决方案的所有要求。这些低压MOSFET采用STPOWER STripFET F8技术。条形场效应晶体管F8技术通过降低导通电阻和开关损耗，同时优化体二极管特性，来节省能量并确保电源转换、电机控制和配电电路的低噪声。STMicroelectronics的 F8 N沟道功率MOSFET可简化系统设计，提高汽车、计算机/外设、数据中心、电信、太阳能、电源/转换器、电池充电器、家用/专业电器、游戏、无人机等应用的效率。

特性

  • 符合AEC-Q101标准（零件尾号为AG）
  • 非常低的导通损耗，效率更高，设计更紧凑
  • 体二极管软度和低栅极－漏极电荷，确保出色的开关行为
  • 更紧密的栅极阈值电压扩频，更容易并联
  • 低EMI辐射
  • 湿度灵敏性等级 (MSL) 1级
  • 工作温度范围：-55°C至+175°C
  • 100%经雪崩测试
  • 可湿性侧翼，PowerFLAT 5mm x 6mm封装
  • 可持续技术

应用

  • STL160N10F8
    • 服务器和电信电源
    • 工业电池管理系统 (BMS)
    • 电动工具
    • 无人机
  • STL170N4LF8 及 STL300N4LF8
    • 工业工具、电机驱动器和设备
    • 工业电机控制
    • 电源和转换器
  • STL175N4LF8AG、STL305N4LF8AG、STL165N4F8AG以及STK615N4F8AG
    • 汽车电机控制
    • 车身和便捷
    • 底盘和安全
    • ICE动力传动系
  • STL120N10F8、STL320N4LF8、STL325N4LF8AG和STL325N4LF8AG开关应用

规范

  • 漏极源极电压选项：40V或100V（最大值）
  • 栅极－源极电压选项：±16V或±20V（最大值）
  • 漏极电流范围：304A至1492A（最大值）
  • 总功耗范围：111W至188W
  • 单脉冲雪崩
    • 电流 60 A
    • 能量范围：140mJ至590mJ
  • 动态
    • 输入电容范围：2600pF至7657pF
    • 输出电容范围：680pF至1968pf
  • 开/关状态
    • 零栅极电压漏极电流范围：1µA至100µA
    • 栅极体漏电流：100nA
    • 最大栅极阈值电压范围：1.2V至4V
    • 最大静态漏极－源极导通电阻：0.75 mΩ至4.6 mΩ

视频

应用笔记

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物料编号 数据表 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Pd-功率耗散 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷
STL325N4LF8AG STL325N4LF8AG 数据表
STL320N4LF8 STL320N4LF8 数据表 40 V 360 A 800 uOhms 188 W - 20 V, 20 V 2 V 43 nC
STK615N4F8AG STK615N4F8AG 数据表
STL165N4F8AG STL165N4F8AG 数据表 40 V 154 A 2.6 mOhms 111 W - 20 V, 20 V 4 V 28 nC
STL300N4F8 STL300N4F8 数据表 290 A 1.1 mOhms
STL165N10F8AG STL165N10F8AG 数据表 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL120N10F8 STL120N10F8 数据表 100 V 125 A 4.6 mOhms 150 W - 20 V, 20 V 2 V 56 nC
STL160N10F8 STL160N10F8 数据表 100 V 158 A 3.2 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 4 V 90 nC
STL300N4LF8 STL300N4LF8 数据表 40 V 304 A 1 mOhms 167 W - 20 V, 20 V 2 V 70 nC
STL325N4F8AG STL325N4F8AG 数据表 40 V 373 A 1.1 mOhms 188 W - 16 V, 16 V 2 V 95 nC
发布日期: 2024-05-21 | 更新日期: 2026-01-21