STMicroelectronics STx24N60DM2 N 沟道 FDmesh II Plus™ 功率 MOSFET
意法半导体 MDmesh DM2 系列是意法半导体最新的快速恢复
二极管系列 600V 功率 MOSFET,特别适合 ZVS 相移桥
拓扑。它们具有非常小的恢复电荷和时间(Qrr, trr),
并有低 20% 的 R
DS(on) (相比前一代产品)。高 dV/dt 强度(40V/ns),确保更高系统可靠性。
特性
- Low gate charge and input capacitance
- Lower RDS(on) x area vs the previous generation
- Low gate input resistance
- Designed for switching applications
- 100% avalanche tested
- Zener-protected
- High dv/dt and avalanche capabilities
Related Products
High-voltage with very low recovery charge (Qrr) and time (trr) combined with low RDS(on).
Development Tools
半桥参考设计,将STDRIVEG600栅极驱动器 与MDmesh DM2功率MOSFET配对。
基于STSPIN32F0601Q BLDC控制器的三相逆变器。
Complete Your Design
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2015-04-08
| 更新日期: 2026-01-21