STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET
STMicroelectronics DM6 N通道功率MOSFET是MDmesh™ DM6快速恢复二极管的组成部分。该款汽车级N通道功率MOSFET具有极低恢复电荷 (Qrr)、极短恢复时间 (trr) 以及低RDS(on)。DM6功率MOSFET具有低栅极电荷、低输入电容、低导通电阻、高dv/dt耐受性及齐纳保护功能。该功率MOSFET适用于要求极为苛刻的高效转换器，并且是桥式拓扑和ZVS相移转换器的理想之选。
特性
- 快速恢复体二极管
- 与上一代产品相比，具有更低的单位面积RDS(on)
- 低栅极电荷、输入电容和电阻
- 100%经雪崩测试
- 极高dv/dt耐受性
- 齐纳保护
- 符合AEC-Q101标准
应用
- 高效率转换器
- 桥拓扑
- ZVS相移转换器
- 开关
Related MOSFETs
STMicroelectronics STD12N60DM2AG N通道功率MOSFET
具有极低恢复电荷 (Qrr) 和极短恢复时间 (trr) 以及低RDS(on)。
电气特性
Complete Your Design
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2018-07-23
| 更新日期: 2026-01-21