STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG演示板

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG演示板提供一个半桥拓扑参考设计，将STDRIVEG600栅极驱动器与650V GaN HEMT配对。STDRIVEG600是一款单芯片半桥栅极驱动器，用于GaN（氮化镓） eHEMT（增强模式高电子迁移率晶体管）或N沟道功率MOSFET。STDRIVEG600的高侧设计用于承受高达600V电压，适合用于总线电压高达500V的设计。

STMicroelectronics EVSTDRIVEG600DG演示板包括预安装STDRIVEG600（采用SO-16封装）和GaN系统GS-065-011-1-L 150mΩ 650V GaN HEMT（采用PowerFLAT™封装，带Kelvin源）。该演示板还设有板载可编程死区时间发生器和3.3V线性稳压器，可为微控制器等外部逻辑控制器供电。

该器件设有多个备用占位，可针对最终应用定制电路板，例如独立输入信号或单PWM信号、使用可选的外部自举二极管、用于V_CC、P_VCC或BOOT的独立电源，以及使用低侧分流电阻器实现峰值电流模式拓扑。