STMicroelectronics HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT
STMicroelectronics HB 系列沟槽式栅极场终止型 IGBT 采用先进的具有专利的沟槽式栅极和场终止型结构。 这些新 HB 器件在传导和开关损耗性能之间中取得折衷，使频率转换器的效率实现最大化。 VCE(sat) 温度系数稍正，参数分布紧密，因而并联运行更为安全。
特性
- Designed for soft commutation only
- Maximum junction temperature: TJ = +175°C
- High-speed switching series
- Minimized tail current
- VCE(sat) = 1.55V (typ.) at IC = 30A
- Low VF soft recovery co-packaged diode
- Tight parameters distribution
- Safe paralleling
- Low thermal resistance
- Lead-free package
- Very fast soft recovery antiparallel diode
应用
- Microwave oven
- Resonant converters
- Photovoltaic inverters
- High frequency converters
Related Products
STMicroelectronics STEVAL-CTM015V1三相电机驱动评估套件
为三相开关磁阻电机 (SRM) 驱动提供完整的解决方案。
View Results ( 2 ) Page
| 物料编号 | 数据表 | 封装 / 箱体 | 安装风格 | 集电极—发射极最大电压 VCEO |
|---|---|---|---|---|
| STGP30H60DFB |  |
TO-220-3 | Through Hole | 600 V |
| STGB30H60DFB | |
D2PAK-3 | SMD/SMT | 600 V |
发布日期: 2016-04-21
| 更新日期: 2023-10-17