STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET
STMicroelectronics N 通道 PowerMESH 功率 MOSFET 设计采用了 STMicroelectronics 基于合并带状布局的 MESH OVERLAY™ 工艺。 此工艺可使先进的家用高压功率 MOSFET 获得优异的性能。 强化布局加上专有的边缘终端结构缔造了最低的单位面积 RDS(on) 、无与伦比的栅极电荷以及开关特性。
特性
- 100% avalanche tested
- Intrinsic capacitances and Qg minimized
- High-speed switching
- Fully isolated TO-3PF plastic packages
- Creepage distance path is 5.4mm (typ.) for TO-3PF
应用
- Switching applications
发布日期: 2016-02-15
| 更新日期: 2022-03-11