STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器
STMicroelectronics PWD5F60高密度功率驱动器在单一紧凑型系统级封装 (SiP) 中集成了栅极驱动器和四个N通道功率MOSFET，采用双半桥配置。集成式功率MOSFET的漏源导通电阻或RDS (ON) 为1.38Ω，漏源击穿电压为600V。嵌入式栅极驱动器的高侧可方便地通过集成自举二极管供电。PWD5F60功率驱动器的集成度高，因此能在空间受限的应用中高效地驱动负载。
PWD5F60接受在10V至20V宽范围内的电源电压 (VCC)，在上、下驱动部分均具有欠压闭锁 (UVLO) 保护功能，以防电源开关在低效率或危险条件下工作。PWD5F60具有宽输入电压范围，因此可轻松连接微控制器、DSP单元或霍尔效应传感器。PWD5F60还嵌入了两个独立的比较器，用于防止过流和过热。
该器件采用紧凑型15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装。
特性
- 电力系统级封装集成栅极驱动器和高压功率MOSFET
- RDS(ON) = 1.38Ω
- BVDSS = 600V
- 配置选项：
- 全桥
- 双独立半桥
- 低侧和高侧UVLO保护
- 3.3V至15V兼容输入，具有迟滞和下拉功能
- 内置自举二极管
- 独立比较器
- 可调节的死区时间
- 材料清单减少
- 紧凑、简化的布局
- 灵活的设计
- 工作温度范围：-40°C至125°C
- 15mm x 7mm x 1mm VFQFPN封装
应用
- 工业风扇和泵
- 烹饪护罩和气体加热器
- 鼓风机
- 工业驱动器
- 工厂自动化
- 电源装置
开发工具
STMicroelectronics EVALPWD5F60演示板
一款评估板，用于集成高压全桥的PWD5F60高密度功率驱动器。
框图
引脚连接
发布日期: 2018-10-29
| 更新日期: 2023-02-21