STMicroelectronics RF5L15120CB4射频功率LDMOS晶体管
STMicroelectronics RF5L15120CB4射频功率LDMOS晶体管具有高效率和线性增益运行特性。RF5L15120CB4 120W LDMOS FET具有显著的正负栅极/源极电压范围。该器件可用于AB/B类和C类，适用于所有典型调制格式。
STM RF5L15120CB4射频功率LDMOS晶体管设计用于宽带商业通信、电视广播、航空电子设备和工业应用，具有HF至1.5GHz频率范围。
特性
- 高效和线性增益运行
- 集成的ESD保护
- 较大的正负栅极/源极电压范围
- 出色的热稳定性、低HCI漂移
- 符合欧洲指令2002/95/EC
应用
- 宽带商业通信
- 电视广播
- 航空电子设备
- 工业
规范
- 漏极-源极电压：95V
- 栅极-源极电压：-8V/+10V
- 最大工作电压：55V
- 最高结温：+200°C
- 储存温度范围：-65°C至+150°C
引脚连接
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STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2022-12-02
| 更新日期: 2022-12-12