STMicroelectronics RFxL射频功率LDMOS晶体管

STMicroelectronics RFxL射频功率LDMOS晶体管具有高性能,设计用于具有不同频段的多种应用。RFxL射频功率晶体管采用B4E、B2和LBB封装。

RF5L08350CB4是一款400W 50V高性能内部匹配型LDMOS FET,设计用于0.4GHz至1GHz频段内的多种应用。

RF3L05250CB4是一款250W 28/32V LDMOS FET,设计用于宽带通信和频率从高频到1Ghz的各种ISM应用。RF3L05250CB4引脚连接用于AB/B和C类功放中,适合所有典型调制格式。

RF2L16180CB4是180W、28V内部匹配型LDMOS晶体管,设计用于多载波WCDMA/PCS/DCS/LTE基站和频率介于1300MHz至1600MHz之间的各种ISM应用。四个引线可配置为单端、180度推挽式或90度混合,又或具有适当外部匹配网络的Doherty。

RF2L36075CF2是一款75W内部匹配型LDMOS晶体管,设计用于多载波WCDMA/PCS/DCS/LTE基站和频率在3.1至3.6GHz范围内的S波段雷达应用。RF2L36075CF2可用于AB、B或C类功放中,适合所有典型蜂窝基站调制格式。

特性

  • 高效和线性增益运行
  • 集成的ESD保护
  • 内部输入匹配以方便使用
  • 较大的正负栅极-源极电压范围,可改善C类运行
  • 遵守欧洲指令2002/95/EC

应用

  • 电信
  • S波段雷达
  • 多载波基站
  • 工业、科学和医疗 (ISM)
  • 2MHz至30MHz高频或短波通信
  • 30MHz至88MHz地面通信
  • 118MHz至140MHz航空电子
  • 136MHz至174MHz商用地面通信
  • 30MHz至512MHz干扰器,地面/空中通信
  • 高频至1000MHz ISM - 仪器仪表
  • 0.4GHz至1GHz宽带实验室放大器
  • 数字UHF电视470至860MHz
  • 650MHz粒子加速器
  • 915MHz射频能量应用

引脚连接

STMicroelectronics RFxL射频功率LDMOS晶体管
发布日期: 2021-06-08 | 更新日期: 2022-03-11