STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC功率MOSFET
STMicroelectronics SCTW70N120G2V 1200V 91A SiC（碳化硅）功率MOSFET导通电阻极小，开关性能非常出色，几乎不受温度影响，因为宽带隙材料具有先进、创新的特性。SCTW70N120G2V还具有非常快速、坚固的内置体二极管以及极低的栅极电荷和输入能力。额定温度高达200°C，因此改进了电力电子系统的热设计。
STMicroelectronics SCTW70N120G2V SiC功率MOSFET采用3引脚HiP247封装。
特性
- 非常高的工作结温 (TJ =200°C)
- 非常低的切换损失
- 高温下功耗低
- 速度非常快且坚固的内置体二极管
- 易于驱动
- 凭借小尺寸实现高功率密度
- 系统效率高
- 降低冷却要求，减小散热片尺寸
- 3引脚HiP247封装
应用
- 牵引逆变器
- 电动汽车充电桩
- 光伏系统
- 工厂自动化
- 电机驱动器
- 数据中心电源
- OBC和直流-直流转换器
封装外形
相关产品
STMicroelectronics 汽车级碳化硅功率MOSFET
采用ST先进的创新第二/第三代碳化硅MOSFET技术开发而成。
STMicroelectronics 碳化硅功率MOSFET
将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中。
助您完成设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2020-09-14
| 更新日期: 2024-12-31