STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET

STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET,具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球RDS(ON) x 面积以及全球品质因数( FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C,采用DPAK(TO-252)A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。

特性

  • 超低栅极电荷
  • 全球RDS(ON) x 面积
  • 全球品质因数(FOM)
  • ±30V栅极-源极电压
  • 总功率耗散:83W

应用

  • 反激式转换器
  • LED照明
  • 平板电脑和笔记本电脑适配器
发布日期: 2023-01-20 | 更新日期: 2024-06-25