STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET
STMicroelectronics STD80N450K6 800V 10A MDmesh K6功率MOSFET是一款高压N沟道功率MOSFET,具有齐纳保护功能和100%雪崩。该MOSFET还具有超低栅极电荷、±30V栅极-源极电压、83W总功耗、全球R
DS(ON) x 面积以及全球品质因数( FOM)。该MOSFET的工作结温范围为-55°C至150°C,采用DPAK(TO-252)A2型封装。典型应用包括反激式转换器、LED照明以及平板电脑和笔记本电脑。
特性
- 超低栅极电荷
- 全球RDS(ON) x 面积
- 全球品质因数(FOM)
相关MOSFET
该模块的击穿电压为800V,齐纳保护,100%雪崩测试,非常适用于反激式转换器和LED灯。
完成您的设计
各种可直接替换器件,适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2023-01-20
| 更新日期: 2024-06-25