STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™功率MOSFET

STMicroelectronics STF10LN80K5 MDmesh™功率MOSFET设计采用MDmesh™ K5技术。该技术基于创新的专有垂直结构，可为各种应用降低导通电阻并实现超低栅极电荷。STF10LN80K5功率MOSFET具有业界最佳的品质因数 (FoM) 和最低的RDS(on) x面积。STF10LN80K5功率MOSFET内置齐纳二极管，增强了该器件的静电放电 (ESD) 防护性能。该器件的齐纳电压无需额外的外部元件，有助于实现经济高效的器件完整性保护。STF10LN80K5功率MOSFET非常适合用于开关应用。