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STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT

STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT设计采用获得专利的先进沟槽式栅极场终止型结构。STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG为逆变器提供最佳系统性能和效率平衡，具有低损耗和必要的短路功能。该器件符合AEC-Q101标准，最高结温为+175°C，短路耐受时间为6μs，30A时VCE(sat) 低至1.7V，参数分布紧密。该器件还包括软、快速恢复反向并联二极管和低热阻，采用TO-247长引线封装。

特性

  • 符合 AEC-Q101
  • 最高结温：TJ = +175°C
  • 最短短路耐受时间：6μs
  • 低VCE(sat) = 1.7V（典型值，IC = 30A时）
  • 参数分布紧密
  • 低热阻
  • 快速软恢复反向并联二极管

应用

  • 电机控制
  • 辅助负载
  • 热管理
  • 通用逆变器

电路图

应用电路图 - STMicroelectronics STGWA30M65DF2AG汽车级IGBT

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发布日期: 2024-09-06 | 更新日期: 2024-09-12