STMicroelectronics STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET
意法半导体 STL320N4LF8 N沟道STripFET F8功率MOSFET 采用STripFET F8沟槽式MOSFET技术制造而成。 该器件完全符合工业级标准。STL320N4LF8可降低导通电阻和开关损耗，同时优化体漏极二极管特性。该MOSFET节能，确保电源转换和电机控制电路中的噪声低。
特性
- 出色的体漏极二极管软度
- 低EMI噪声辐射
- 低输出电容和串联电阻
- 低尖峰，用于关断和短振荡时的漏源电压
- 低栅极-漏极电荷
- 快速关断和低开关损耗
- 紧密的栅极阈值电压扩频
- 轻松并联
- 极高电流能力
- 高短路能力
应用
- 电源转换
- 电机控制
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STMicroelectronics STripFET F8N通道功率MOSFET
符合AEC-Q101标准，提供30V至150V的全面封装解决方案
发布日期: 2022-06-17
| 更新日期: 2024-11-18