STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET
STMicroelectronics STN6N60M2 MDmesh M2功率MOSFET是一款N沟道功率MOSFET，具有低导通电阻和经过优化的开关特性。该功率MOSFET采用MDmesh M2技术开发。STN6N60M2 MOSFET具有极低的栅极电荷和出色的输出电容 (Coss) 曲线。该功率MOSFET具有齐纳保护功能，100%经过雪崩测试。STN6N60M2 MOSFET非常适合用于开关应用。
特性
- 超低栅极电荷
- 出色的输出电容（Coss）曲线
- 100%经雪崩测试
- 齐纳保护
规范
- 栅极源极电压：±25VGS
- 漏极电流：5.5A（TC=25°C时）
- 漏极电流：3.5A（TC=100°C时）
- 漏极电流：8A（脉冲）
- 总功率耗散：6W
- 工作结温范围：-55°C至150°C
概述
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STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2020-08-10
| 更新日期: 2025-01-14