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STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET是100%经过雪崩测试的N沟道功率MOSFET，适用于开关应用。 与上一代产品相比，这些功率MOSFET具有出色的开关性能、低栅极输入电阻以及更低的单位面积RDS (on) 。STO67N60DM6功率MOSFET是一款快速恢复体二极管，将极低恢复电荷 (Qrr) 和恢复时间 (trr) 与最有效的开关行为相结合。STO67N60M6功率MOSFET非常适合用于LLC转换器和升压PFC转换器。

特性

  • 降低开关损耗(STO67N60M6)
  • 快速恢复体二极管(STO67N60DM6)
  • 低栅极输入电阻(STO67N60M6)
  • 低栅极电荷、输入电容和电阻(STO67N60DM6)
  • 100%经雪崩测试
  • 齐纳保护
  • 极高dv/dt耐受性(STO67N60DM6)
  • 高爬电距离封装(STO67N60M6)
  • 出色的开关性能

应用

  • 开关应用
  • LLC转换器 (STO67N60M6)
  • 升压PFC转换器 (STO67N60M6)

概述

STMicroelectronics STO67N60x MDmesh功率MOSFET

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发布日期: 2020-08-11 | 更新日期: 2025-01-14