STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET
STMicroelectronics STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET设计用于中/高压MOSFET，具有非常低的单位面积RDS(on)。该器件采用创新的超级结MDmesh M9技术，具有多漏极制造工艺，可实现增强型器件结构。
STM STP65N045M9 MDmesh M9功率MOSFET具有低导通电阻和较低的栅极电荷值。得益于以上特性，STP65N045M9特别适合用于需要出色功率密度和出色效率的应用。
特性
- 在硅基器件中具有出色的单位面积RDS(on)
- 较高的VDSS额定值
- 更高dv/dt能力
- 出色的开关性能
- 易于驱动
- 100%经雪崩测试
典型应用
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具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。
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发布日期: 2022-05-18
| 更新日期: 2023-02-13