MDmesh™ M9 MOSFET

STMicroelectronics MDmesh™ M9功率MOSFET具有增强器件结构、低导通电阻和低栅极电荷值。这些功率MOSFET具有高反向二极管dv/dt和MOSFET dv/dt稳健性、大功率密度和低导通损耗。MDmesh M9功率MOSFET还具有高开关速度、高效率和低开关功率损耗。这些功率MOSFET设计采用创新的高压超级结技术，具有出色的品质因数 (FoM)。高FoM可实现更高的功率水平和密度，从而实现更紧凑的解决方案。典型应用包括服务器、电信数据中心、5G电源站、微逆变器和快速充电器。