STMicroelectronics MDmesh™ II 功率 MOSFET
意法半导体 MDmesh™ II 功率 MOSFET 将垂直结构与 STM 带状布局相结合，产生了业界最低的导通电阻和栅极电荷，使其能适应要求最高的高效转换器。这些 MDmesh™ II 功率 MOSFET 完全绝缘，采用薄型封装，加长了从引脚到散热盘的爬电路径。它们经 100% 雪崩测试，输入电容、栅极电荷及栅极输入电阻低。
特性
- Fully insulated and low profile package with increased creepage path from pin to heatsink plate
- Lower RDS(on) x area vs the previous generation
- 100% avalanche tested
- Low input capacitance and gate charge
- Zener-protected
- Low gate input resistance
应用
- Switching Applications
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STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
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STMicroelectronics 功率MOSFET和IGBT中的最新技术
功率MOSFET和IGBT中的最新技术。
发布日期: 2009-05-28
| 更新日期: 2025-10-24