STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板

STMicroelectronics EVSTDRIVEG60015演示板允许用户评估STDRIVEG600高速半桥栅极驱动器。STDRIVEG600经过优化，可驱动高压增强模式GaN HEMT。该器件具有集成自举二极管，可提供高达20V的外部开关，并具有专为GaN HEMT定制的欠压保护。

STMicro EVSTDRIVEG60015板易于使用，可快速调整为评估驱动 SGT120R65AL 75mΩ（典型值）650V E-Mode GaN开关的 STDRIVEG600 的特性。该板提供板载可编程死区时间发生器和3.3V线性稳压器，以提供微控制器等外部逻辑控制器。

配备的备用引脚布局支持为最终应用定制电路板，如单独的LIN和HIN输入信号或单个PWM信号、使用可选外部自举二极管、VCC、PVCC或BOOT的单独电源，以及使用峰值电流模式拓扑的低侧分流电阻器。EVSTDRIVEG60015拥有50mmx70mm的宽FR-4 PCB，可在静止空气中实现+25°C/W R_th(J‑A) 。