STMicroelectronics EVSTDRVG611MC 评估板
STMicroelectronics EVSTDRVG611MC评估板允许用户评估STDRIVEG611半桥GaN栅极驱动器。该三相逆变器板基于STDRIVEG611驱动器、650V增强模式GaN HEMT以及搭载170MHz Arm® Cortex®-M4内核的STM32G431RBT3微控制器而打造。
STMicro EVSTDRVG611MC板支持无传感器磁场定向控制 (FOC)，可以驱动磁铁同步电机 (PMSM) 和无刷DC (BLDC) 电机，广泛适用于冰箱压缩机、泵、风扇及工业电器等各类应用场景。EVSTDRVG611MC的尺寸为109mm x 110mm，采用双层FR-4 PCB，静止空气下的整体热阻Rth(J-A)为8.5°C/W（相当于每个GaN的50°C/W）。
特性
- 采用STDRIVEG611 GaN栅极驱动器的三相拓扑结构
- 典型值75mΩ,650V采用PowerFLAT 5x6 HV封装并带有开尔文源的e-mode GaN HEMT
- STM32G431RBT3微控制器，用于高模拟集成
- 三并联拓扑用于无传感器磁场定向控制 (FOC)
- 230V AC主电源输入滤波器和整流器
- 典型功率最高可达600W，40kHz
- 针对EMI和电机可靠性，以10V/ns dV/dt进行调整
- UART、编码器、霍尔位置传感器、SWD接口
- 集成在STM32G4中的分流放大器
- 过电流保护
应用
- 家用电器、泵和压缩机的电机驱动器
- 工厂自动化、伺服和工业驱动器
- 电动自行车和电动工具
- D级别音频放大器
- DC/DC和谐振转换器、PFC、电池充电器和适配器
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发布日期: 2025-10-06
| 更新日期: 2025-10-15