STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET

STMicroelectronics SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET是碳化硅 (SiC) MOSFET，具有18mΩ（典型值）和119A（额定值）特性。这些功率MOSFET采用HiP247和HiP247-4封装。SCTWA90N65G2Vx 650V功率MOSFET具有极低的栅极电荷和输入电容、高速开关性能以及源极传感引脚，可提高效率。这些MOSFET采用ST先进的创新第二代碳化硅MOSFET技术开发而成。应用包括可再生能源系统用电源、高频直流/直流转换器、充电站、开关模式电源、直流/直流转换器和工业电机控制。