STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT
STMicroelectronics STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT基于先进、专有的沟槽式栅极场终止结构演进而来。HB2系列以较低的电流值和较低的开关能量，通过高级VCE(sat) 优化导通。STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT在20A IC时具有1.65V（典型值）低 VCE(sat)。
ST STGWA20H65DFB2 HB2 IGBT包括反向并联的超快软恢复二极管。因此，STGWA20H65DFB2专门设计用于最大限度地提高效率，适合用于各种快速应用。
特性
- 最高结温TJ=175°C
- 低VCE(sat)=1.65V（IC=20A时典型值）
- 超快软恢复并联二极管
- 最小拖尾电流
- 参数分布紧密
- 低热阻
- 正VCE(sat)温度系数
应用
- 焊接
- 功率因数校正
- UPS
- 太阳能逆变器
- 充电器
典型应用
助您完成设计
STMicroelectronics 标准产品
各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。
发布日期: 2020-06-24
| 更新日期: 2025-01-14