STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET
STMicroelectronics MDmesh™ M6 MOSFET将低栅极电荷 (Qg) 和经过优化的电容曲线相结合，设计用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率。该超级结MDmesh™ M6系列具有可提高功率密度的极高效率，以及可在高频下的低栅极电荷。M6系列MOSFET的击穿电压范围为600V至700V。它们提供多种封装选项，包括无引线TO (TO-LL) 封装解决方案，可实现高效的热管理。该器件包括各种工作电压，适用于工业应用，包括充电器、适配器、银盒模块、LED照明、电信、服务器和太阳能。
特性
- 经过优化的阈值电压，用于软开关
- 良好的开关行为，用于硬开关和软开关
- 极高的效率性能，可提高功率密度
- 低栅极电荷，可在高频下工作
- 电容曲线和阈值电压经过优化，用于在功率转换应用的全新拓扑中实现高效率
- 广泛的产品组合
应用
- 充电器
- 适配器
- 银盒模块
- LED照明
- 电信
- 服务器
- 太阳能逆变器
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发布日期: 2019-01-09
| 更新日期: 2026-01-21