STMicroelectronics SGT070R70HTO增强模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT070R70HTO电子模式PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式晶体管，专为苛刻的电源转换应用而设计。STMicro SGT070R70HTO采用氮化镓 (GaN) 技术，提供卓越的开关性能，导通电阻低至70mΩ，低栅极电荷可实现高效率并降低高频操作损耗。该晶体管的漏极-源极电压额定值为700V，非常适合电源、电机驱动器和可再生能源系统等应用。该器件具有强大的热性能，采用紧凑型TO-LL封装，非常适用于空间受限且散热要求极高的应用。快速开关能力和低输入电容有助于提高系统效率和功率密度，使SGT070R70HTO成为下一代电力电子设备的理想选择。