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STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管是一款增强型晶体管，专为高效电源转换应用而设计。STMicroelectronics SGT080R70ILB的漏极-源极电压额定值为700V，典型导通电阻仅为80mΩ，它利用氮化镓 (GaN) 技术的卓越开关性能，最大限度地减少了导通损耗和开关损耗。该晶体管采用紧凑型PowerFLAT 8x8 HV封装，支持高频运行，非常适合用于谐振转换器、功率因数校正 (PFC) 级和直流-直流转换器。SGT080R70ILB具备低栅极电荷与低输出电容特性，可实现更快的转换和更少的能量损耗，因此非常适用于消费类电子产品、工业系统及数据中心等高要求应用。

特性

  • 增强模式常闭晶体管
  • 非常高的切换速度
  • 大功率管理能力
  • 极低电容
  • 开尔文源极焊盘，实现最佳栅极驱动
  • 零反向恢复电荷
  • ESD保护
  • 符合RoHS标准

应用

  • 消费类电子产品
  • 工业系统
  • 数据中心
  • 平板电脑、笔记本电脑和AIO适配器
  • USB Type-C® PD适配器和快速充电器
  • 交流/直流转换器
  • 直流-直流转换器
  • 谐振转换器
  • 功率因数校正 (PFC) 阶段

规范

  • 漏极-源极电压：700V（最大值）
  • 瞬态漏极-源极电压：800V（最大值，tp <>
  • 栅极-源极电压：-6V至7V（最大值）
  • 漏极连续电流：29A（最大值，+25°C时）
  • 脉冲漏极电流：58A（最大值，tp = 10μs时）
  • 总耗散功率：188W（最大值，+25°C时）
  • 源极-漏极反向导通电压：2.3V（典型值）
  • 交换
    • 接通延迟时间：3ns（典型值）
    • 上升时间：4ns（典型值）
    • 关闭延迟时间：5ns（典型值）
    • 下降时间：4ns（典型值）
  • 静态
    • 漏极-源极电流：390μA（最大值）
    • 栅极-源极漏电流：163μA（典型值）
    • 栅极阈值电压范围：1.2V至2.5V
    • 静态漏极-源极导通电阻：80mΩ（最大值）
  • 人体模型 (HBM) ESD保护：2kV
  • 工作结温范围：-55°C至+150°C
  • 动态
    • 输入电容：225 pF（典型值）
    • 输出电容：70pF（典型值）
    • 反向转移电容：0.5pF（典型值）
    • 等效输出电容：105pF（典型值，能量相关）
    • 等效输出电容：150pF（典型值，时间相关）
    • 固有栅极电阻：3Ω（典型值）
    • 栅极平台电压：2.2V（典型值）
    • 总栅极电荷：6.2nC（典型值）
    • 栅极-源极电荷：0.5nC（典型值）
    • 栅极-漏极电荷：2.2nC（典型值）
    • 反向恢复电荷：0nC（典型值）
    • 输出电荷：60nC（典型值）
  • 热阻
    • 结温至外壳温度：0.52°C/W
    • 结温至环境温度：33.6°C/W

原理图

原理图 - STMicroelectronics SGT080R70ILB电子模式PowerGaN晶体管

测试电路

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发布日期: 2025-10-20 | 更新日期: 2025-12-04