STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管
STMicroelectronics SGT350R70GTK电子模式PowerGaN晶体管是一款高性能增强模式PowerGaN晶体管，针对严苛应用中的高效电源转换进行了优化。STMicroelectronics SGT350R70GTK的漏极-源极电压额定值为700V，最大导通电阻为350mΩ，得益于氮化镓 (GaN) 技术，可实现低导通损耗和快速切换能力。该设备采用散热增强型DPAK封装，支持大电流处理和改进的热耗散，适用于高密度电源设计。低的栅极电荷和输出电容可实现高频操作，非常适合用于功率因数校正 (PFC)、谐振转换器以及工业、电信和消费类电子产品领域的其他先进电源拓扑。
特性
- 增强模式常闭晶体管
- 非常高的切换速度
- 大功率管理能力
- 极低电容
- 零反向恢复电荷
- ESD保护
- 符合RoHS标准
应用
- 消费类电子产品
- 工业系统
- 数据中心
- 平板电脑、笔记本电脑和AIO适配器
- USB Type-C® PD适配器和快速充电器
- 谐振转换器
- 功率因数校正 (PFC) 阶段
规范
- 漏极-源极电压：700V（最大值）
- 瞬态漏极-源极电压：800V（最大值，tp <>
- 栅极-源极电压：-1.4V至7V（最大值）
- 漏极连续电流：6A（最大值，+25°C时）
- 脉冲漏极电流：10A（最大值，tp = 10μs时）
- 总耗散功率：47W（最大值，+25°C时）
- 源极-漏极反向导通电压：2.6V（典型值）
- 交换
- 接通延迟时间：0.9ns（典型值）
- 上升时间：3.5ns（典型值）
- 关闭延迟时间：1.2ns（典型值）
- 下降时间：6.1ns（典型值）
- 静态
- 漏电流：12μA（最大值）
- 栅极-源极漏电流：30μA（典型值）
- 栅极阈值电压范围：1.2V至2.5V
- 静态漏极-源极导通电阻：350mΩ（最大值）
- 人体模型 (HBM) ESD保护：2kV
- 工作结温范围：-55°C至+150°C
- 动态
- 输入电容：50 pF（典型值）
- 输出电容：15pF（典型值）
- 反向传输电容：0.2pF（典型值）
- 等效输出电容：20pF（典型值，能量相关）
- 等效输出电容：28pF（典型值，时间相关）
- 固有栅极电阻：11Ω（典型值）
- 栅极平台电压：2.2V（典型值）
- 总栅极电荷：1.5nC（典型值）
- 栅极-源极电荷：0.15nC（典型值）
- 栅极-源极电荷：0.5nC（典型值）
- 反向恢复电荷：0nC（典型值）
- 输出电荷：13nC（典型值）
- 热阻
- 结温至外壳温度：2.63°C/W
- 结温至环境温度：56°C/W
原理图
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发布日期: 2025-10-20
| 更新日期: 2025-10-28