返回STMicroelectronics

STMicroelectronics N-通道 MDmesh™ V 功率 MOSFET

意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 依赖 MDmesh™ V 与基于创新专有垂直工艺的开创性功率 MOSFET 技术，并结合了意法半导体著名的 PowerMESH™ 水平布局结构。意法半导体 N 沟道 MDmesh™ V 功率 MOSFET 具有极低导通电阻，在硅基功率 MOSFET 中无以匹敌，使其特别适合需要出色功率密度和超高效率的应用。

STMicroelectronics MDmesh M5 MOSFETs feature a silicon-based technology that combines an innovative proprietary vertical technology process with STMicroelectronics' PowerMESH horizontal layout. This technology achieves up to 40% better RDS(on) versus the previous MDmesh II technology and establishes a new milestone in the power switch arena.

View Surface Mount | Thru-Hole | MDmesh M5 Power MOSFETs

特性

  • Outstanding RDS(on) area values
  • Fast switching
  • High VDSS rating
  • High dV/dt capability
  • Easy to drive
  • 100% avalanche tested

应用

  • SMPS (computers, high-efficiency adapters, and telecom)
  • Lighting (electronic ballast, HID)
  • Displays (TVs, monitors)
  • Solar converters

Related Products

STMicroelectronics 功率MOSFET和IGBT中的最新技术

功率MOSFET和IGBT中的最新技术。

Learn More关于STMicroelectronics 功率MOSFET和IGBT中的最新技术 View Products与STMicroelectronics 功率MOSFET和IGBT中的最新技术相关

COMPLETE YOUR DESIGN

STMicroelectronics 标准产品

各种可直接替换器件，适用于通用模拟IC、分立元件和串行EEPROM。

Learn More关于STMicroelectronics 标准产品 View Products与STMicroelectronics 标准产品相关
发布日期: 2011-09-15 | 更新日期: 2025-10-24