EPCOS / TDK EP9 IGBT栅极驱动变压器
EPCOS/TDK EP9 IGBT栅极驱动变压器是基于MnZn铁氧体磁芯的紧凑型器件，采用SMD L引脚结构。这些变压器具有出色的绝缘、极小的耦合电容和较高的热恢复能力。EP9 IGBT栅极驱动变压器支持半桥或推挽式拓扑。这些变压器具有2pF低耦合能力和 ≥5mm电气间隙（累积和芯体浮动）。EP9 IGBT栅极驱动变压器的工作频率范围为 100kHz至400kHz，温度范围为-40°C至150°C。 这些变压器 符合RoHS指令和AEC-Q200标准。EP9 IGBT栅极驱动变压器专门设计用于IGBT和FET栅极驱动器电路。典型应用包括隔离式DC-DC转换器、隔离式AC-DC转换器和栅极驱动器电路。
特性
- 低耦合能力：2pF
- 高测试电压：2500VAC（50Hz，1秒；VAC）
- 工作频率范围：100 kHz至400 kHz
- B82804E0164A200:
- 半桥拓扑结构
- 1:2.8:1.53匝数比
- B82804E0473A200:
- 推挽式拓扑结构
- 1:2.9:1匝数比
- ≥5mm爬电距离和电气间隙（累积和芯体浮动）
- 工作温度范围：-40 °C至150 °C
- 占位面积：13mm x 11mm
- 采用卷带封装
- 符合 RoHS 标准
- 符合AEC-Q200标准（E版)
应用
- 用于逆变器系统的IGBT/MOSFET栅极驱动变压器
- 推挽式转换器
- 500V系统电压的电动汽车和工业要求
- 用于DC-DC转换器的辅助变压器
- 直流/直流电源
示例套件
B82804X0001 示例套件是一款用于IGBT栅极驱动变压器的EP9 L引脚套件。该套件的工作温度范围为-40°C至150°C，符合AEC-Q200标准。B82804X0001示例套件用于普通汽车应用。
机械图
其他资源
发布日期: 2024-12-10
| 更新日期: 2025-05-08