2N7002L 6V N沟道MOSFET

Texas Instruments 2N7002L 6V N沟道MOSFET旨在最大限度地降低导通电阻，同时保持快速的开关性能。这些MOSFET是塑料封装场效应晶体管，具有低栅极阈值电压和低输入电容。2N7002L N沟道MOSFET的漏源电压为6V，栅源电压为7V，源极电流为1.4A，脉冲漏极电流为1.43A（t_p = 1s）。这些MOSFET的工作温度范围为-65°C至150°C，焊接时的引线温度可达260°C。典型应用包括个人电子设备、楼宇自动化和工业自动化。