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Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管

Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1双向ESD保护二极管设计用于钳位ESD和浪涌等有害瞬态。ESD851/ESD851-Q1的额定ESD冲击消散值高达 ±30kV（接触放电和气隙放电），超过了IEC 61000-4-2国际标准中规定的最高级别（4级）。对于浪涌，根据IEC 61000-4-5标准，该器件可以钳制峰值电流高达6.5A的8/20µs浪涌。

该器件还具有4.3pF（典型值）IO电容，能够保护数据线。其低动态电阻和低钳位电压可为瞬态事件提供系统级保护。Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1采用行业通用的引线式SOD-323封装，便于焊接操作。ESD851-Q1器件符合AEC-Q100标准，适用于汽车应用。

特性

  • IEC 61000-4-2 ESD保护
    • ±30kV接触放电
    • ±30kV气隙放电
  • IEC 61000-4-5浪涌保护
    • 6.5 A (8/20µs)
    • 在6.5A (8/20µs) 的钳位电压：71V
  • IO电容：4.3pF（典型值）
  • 直流击穿电压：37.8V（最小值）
  • 超低漏电流：10nA（最大值）
  • 在16A TLP的ESD钳位电压：56V
  • 工业温度范围：-55°C至+150°C
  • 行业标准SOD-323引线式封装 (2.5mm × 1.2mm)

应用

  • I/O保护
  • 医疗和保健
  • 电器
  • 照明
  • 测试与测量

开发工具

Texas Instruments ESDEVM评估模块 (EVM)

采用所有的传统ESD尺寸，从而能够测试任意数量的器件。

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功能框图

框图 - Texas Instruments ESD851/ESD851-Q1 ESD保护二极管

数据手册

其他资源

发布日期: 2024-10-29 | 更新日期: 2025-05-06