Texas Instruments 氮化镓 (GaN)
Texas Instruments氮化镓 (GaN) 解决方案具有高效率、高功率密度和高可靠性等特点。Texas Instruments GaN产品组合包含控制器、驱动器、稳压器的功耗低，提供端对端功率转换，开关频率为5MHz。
该功率GaN支持新电源开关高电子迁移率晶体管 (HEMT)。HEMT是一款场效应晶体管(FET)，与尺寸相当的硅功率晶体管相比，导通电阻更低，开关更快。该优势让电源转换更加节能、节省空间。在硅基底上成长的GaN模块支持利用硅制造能力。电源HEMT具有这些优点，因此广泛用于无线基站，具有出色的可靠性。
提高了功率密度，最大限度地提高了dV/dt抗扰度，优化了驱动强度，最终降低了噪声，提高了效率。高电压、高效率PFC和LLC参考设计可用于设计解决方案，由LMG3410 600V GaN功率级提供支持。通过LMG5200 80V GaN功率级可以实现多种单级48V电源转换设计。
GaN生态系统支持全新、独特的拓扑结构，减少各种障碍。模拟和数字GaN FET控制器完美搭配TI GaN功率级和分立式GaN FET。
特性
- 简单易用的单QFN封装替代三个CSP
- 优化的布局最大限度地减少电感，从而尽可能降低开关损耗，获得纯净的波形
- 提高了功率密度
- 最大化dV/dt抗扰性
- 在1个封装中集成了GaN FET、驱动器和保护功能
- 优化驱动强度
- 高电压、高效率PFC和LLC参考设计可用于电信和服务器PSU，由LMG3410 600V GaN功率级提供支持。
- 通过LMG5200 80V GaN功率级实现多种单级48V电源转换设计。
- 开关损耗低了3倍
- 支持>5MHz开关频率
特色产品
Texas Instruments LMG1020低侧GaN驱动器
低侧驱动器，设计用于驱动GaN FET和逻辑电平MOSFET的高速应用。
Texas Instruments LMG5200 80V GaN半桥功率级
借助增强模式氮化镓 (GaN) FET提供了一套集成功率级解决方案。
Texas Instruments LMG3410R070 600V 70mΩ GaN功率级
相较硅MOSFET具有更大优势，包括超低输入和输出电容。
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用作子卡，作为大型定制系统的一部分或搭配LMG34XX-BB-EVM使用。
视频
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