Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器

Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器设计用于驱动高侧和低侧N沟道MOSFET,具有同步降压或半桥配置。  此栅极驱动器在GVDD上具有8V典型欠压锁定,在BST上具有107V绝对最大电压,在SH上具有 –19.5V最大负瞬态电压处理能力。  LM2104驱动器提供475ns典型固定内部死区时间、115ns典型传播延迟,以及内置交叉传导预防功能。 此紧凑型高压栅极驱动器采用与行业标准引脚分配兼容的8引脚SOIC封装。典型应用包括无刷DC (BLDC) 电机、永磁同步电机 (PMSM)、伺服/步进电机驱动器、无绳吸尘器、电动自行车、电动滑板车和电池测试设备。

特性

  • 以半桥配置驱动两个N沟道MOSFET
  • GVDD上的典型欠压锁定为8V
  • 固定内部死区时间:475ns(典型值)
  • 传播延迟:115ns(典型值)
  • SH上的绝对最大负瞬态电压处理能力为–19.5V
  • BST上的绝对最大电压为107V
  • 峰值源/灌电流:0.5A/0.8A
  • 内置防交叉传导功能
  • 关断逻辑输入引脚SD
  • 单输入引脚IN

应用

  • 无刷直流 (BLDC) 电机
  • 伺服和步进电机驱动器
  • 无绳园林和电动工具
  • 无绳真空吸尘器
  • 电池测试设备
  • 电动自行车和电动踏板车
  • 离线不间断电源 (UPS)
  • 永磁同步电机 (PMSM)
  • 通用MOSFET或IGBT驱动器

功能框图

框图 - Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器

典型应用电路

应用电路图 - Texas Instruments LM2104半桥栅极驱动器
发布日期: 2024-01-09 | 更新日期: 2024-01-24