Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器
Texas Instruments LMG1025/LMG1025-Q1半桥GaN驱动器旨在驱动同步降压、升压或半桥配置中的高侧和低侧增强型氮化镓 (GaN) FET。 该器件具有集成的100V自举二极管和独立输入，用于高侧和低侧输出，以实现最大的控制灵活性。通过自举技术生成高侧偏置电压。在5V进行内部钳位，从而防止栅极电压超过增强型GaN FET的最大栅极-源极额定电压。LMG1205/LMG1025-Q1的输入兼容TTL逻辑，无论VDD电压如何，都可以耐受高达14V的输入电压。 LMG1205/LMG1205-Q1具有分离栅极输出，允许单独而灵活地调节导通和关断强度。
此外，LMG1205/LMG1025-Q1具有强大的灌电流能力，可将栅极保持在低电平状态，从而防止开关过程中意外接通。LMG1205/LMG1025-Q1的工作频率高达几MHz。LMG1205/LMG1025-Q1采用12引脚DSBGA封装，占位面积紧凑，封装电感最小。Texas Instruments LMG1025-Q1器件符合汽车应用类AEC-Q100标准。
特性
- 独立的高侧和低侧TTL逻辑输入
- 1.2A峰值电流，5A灌电流
- 高侧浮动偏置电压轨，工作电压高达100VDC
- 内部自举电源电压钳位
- 分离输出，用于可调导通和关断强度
- 0.6Ω下拉电阻，2.1Ω上拉电阻
- 快速传播时间（典型值35ns）
- 优秀的传播延迟匹配（典型值1.5ns）
- 电源轨欠压锁定
- 低功耗
应用
- 电流馈送推挽转换器
- 半桥和全桥转换器
- 同步降压转换器
- 双开关正向转换器
- 有源钳位正激转换器
功能框图
相关开发工具
Texas Instruments LMG1025-Q1EVM评估模块 (EVM)
设计用于评估LMG1025-Q1汽车用单通道低侧栅极驱动器。
发布日期: 2020-02-24
| 更新日期: 2024-05-22