Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET

Texas Instruments LMG3616 650V GaN功率FET提供270m Ω 的电阻以及集成式驱动器和保护，适用于开关模式电源应用。 通过将GaN FET和栅极驱动器集成在8mmx5.3mm的QFN封装中，该GaN FET简化了设计且减少了元件数量。LMG3616 GaN FET具有可编程开启转换速率，可提供EMI和振铃控制。晶体管的内部栅极驱动器可调节驱动电压，以获得最佳GaN FET导通电阻。内部驱动器降低了总栅极电感和GaN FET共源电感，从而提高开关性能，包括共模瞬态抗扰度（CMTI）。典型应用包括AC/DC USB壁式插座、AC/DC辅助电源、电视、电视SMPS、移动壁式充电器设计和USB壁式电源插座的电源。