Texas Instruments UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器
Texas Instruments UCC21756-Q1隔离式单通道栅极驱动器设计用于工作电压高达2121 V DC的SiC MOSFET和IGBT，具有先进的保护特性、同类最佳的动态性能和稳健性。UCC21756-Q1具有高达±10A的峰值拉电流和灌电流。通过SiO2 电容隔离技术将输入侧与输出侧相隔离，从而支持高达1.5kVRMS 的工作电压、12.8kVPK 浪涌抗扰度，隔离栅寿命超过40年，并提供较低的零件间偏移，以及> 150V/ns的共模抗噪度（CMTI）。
Texas Instruments UCC21756-Q1具有先进的保护特性，例如快速过流和短路检测、故障报告以及有源米勒钳位。它还提供输入和输出侧电源UVLO，以优化SiC和IGBT的开关特性和稳健性。可以利用隔离式模拟PWM传感器更轻松地进行温度或电压检测，从而提高驱动器的多功能性，并简化系统设计工作，降低尺寸和成本。
特性
- 5.7kVRMS 单通道隔离式栅极驱动器
- 下列性能符合AEC-Q100标准
- 环境工作温度范围：-40°C至+150°C（器件温度0级）
- 器件人体模型 (HBM) 静电放电 (ESD) 分类等级3A
- 器件充电器件模型 (CDM) ESD分类等级C6
- 功能安全质量管理型
- 可提供帮助进行功能安全系统设计的文档
- 高达2121Vpk的SiC MOSFET和 IGBT
- 33V最大输出驱动电压（VDD-VEE）
- ±10A驱动强度和分离输出
- 最低CMTI：150V/ns
- 200ns响应时间快速DESAT保护，5V阈值
- 4A内部有源米勒钳位
- 发生故障时软关断：900mA
- 具有PWM输出的隔离式模拟传感器，用于：
- 使用NTC、PTC或热敏二极管进行温度检测
- 高压直流链路或相位电压
- 过流报警FLT和RST/EN复位
- RST/EN上的快速启用/禁用响应
- 抑制输入引脚上的<40ns噪声瞬态和脉冲
- 12VVDD UVLO， RDY上电源正常
- 具有高达5V过冲/欠冲瞬态电压抗扰度的输入/输出
- 130ns（最大值）传播延迟和30ns（最大值）脉冲/零件偏移
- SOIC-16 DW封装，爬电距离和间隙>8mm
- 工作结温范围：–40°C至150 °C
应用
- 电动汽车牵引逆变器
- 车载充电器和充电桩
- HEV/EV用直流/直流转换器
功能框图
其他资源
开发工具
Texas Instruments UCC21750QDWEVM-025评估板
紧凑的单通道隔离式栅极驱动器板，用于SiC MOSFET和Si IGBT电源模块。
发布日期: 2023-05-05
| 更新日期: 2025-03-06