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Toshiba GT20N135SRA硅N沟道IGBT

Toshiba GT20N135SRA硅N沟道IGBT是第6.5代IGBT，由单片方式集成到IGBT芯片中的 续流 二极管 (FWD) 组成。该IGBT具有1.60V低饱和电压、175°C最高工作结温以及0.25µs高速开关。GT20N135SRA硅N沟道IGBT非常适合用于电压谐振逆变器开关、软开关以及电磁炉和家用电器应用。

特性

  • 第6.5代
  • 增强模式
  • 单片方式集成到IGBT芯片中的续流二极管 (FWD)

规范

  • 高速开关：
    • IGBT TF=0.25µs（典型值）
  • 低饱和电压:
    • VCE(sat)=1.60V（典型值）
    • IC=20A
    • TA=25°C
  • 高结温：
    • TJ=175°C （最大值）

应用

  • 电压谐振逆变器开关
  • 软开关
  • 电磁炉和家用电器

封装尺寸

机械图纸 - Toshiba GT20N135SRA硅N沟道IGBT
发布日期: 2020-03-01 | 更新日期: 2024-11-08